Numéro de produit du fabricant:
IPI35CN10N G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI35CN10N G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12801044
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SOUMETTRE
IPI35CN10N G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 29µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1570 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
58W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI35C
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
IPI35CN10N G-DG
SP000208936
SP000680730
IPI35CN10NG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540ZLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
862
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540ZLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.53
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
AOWF412
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
AOWF412-DG
PRIX UNITAIRE
0.97
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD90N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
